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Nano-electronics open lab technical workshop

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UTN - F.R.B.A

951 Avenida Medrano

Almagro, CABA C1179

Argentina

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Descripción del evento
Exposición de proyectos de investigación del laboratorio de nano-electrónica UIDI/FRBA-UTN + lab technical Workshop

Acerca de este evento

[´´´´Seminarios orientados a la introducción de las siguientes líneas de investigación]

** ¨¨Dispositivos electrónicos ** Degradación y ruptura de óxidos delgados.

** Efectos de la radiación en IC ** Fiabilidad de IC

** Diseño para fiabilidad en RF-IC ** Conmutación resistiva **Materiales 2D

** Charlas plenarias que mostrarán los resultados recientes más importantes. Exposición de posters del grupo de trabajo.

¨[Hands On]

¨Actividades de laboratorios para conocer mas sobre las facilidades experimentales del laboratorio de nano-electrónica para la realización de tesis doctorales:

  • Proceso de Fabricación con litografía

Esta actividad permitirá introducir a los participantes respecto de las técnicas de fabricación de micro-dispositivos, como así también de las principales características de una sala limpia. La actividad prevé una práctica de litografía óptica, seguida de un ataque posterior, para la conformación de un dispositivo interdigitado sobre sustrato de vidrio. Por último la actividad finalizará con una revisión de las principales técnicas disponibles en una sala limpia (preparación del sustrato, litografía, diversas técnicas de deposición y grabado), y su caracterización a nivel de oblea.

  • Caracterización eléctrica de nano-estructuras MOS

El desarrollo, control y calificación de dispositivos semiconductores para IC requiere una caracterización eléctrica detallada a nivel de oblea. En esta actividad se pretende mostrar cómo funcionan las facilidades para caracterización eléctrica de transistores MOSFET. Caracterización en DC de dispositivo MOSFET en tecnología de 130nm. Curvas ID-VG, ID-VD.

[Charlas]

  • Felix Palumbo. Dielectric breakdown in thin dielectrics. From silicon dioxide to layered dielectrics
  • Sebastian Pazos. Confiabilidad a nivel transistor en circuitos de RF: modelos e implicancias en el diseño RF CMOS
  • Fernando Aguirre. Ruptura dieléctrica y degradación paramétrica: Impacto en circuitos VLSI y aplicaciones en memorias no volátiles.

[Disertantes Distinguidos]

  • Fernando Silveira. Universidad de la Republica. Uruguay
  • Pedro Julian. Universidad Nacional del Sur. Bahia Blanca.
  • Enrique Miranda. Universitat Autònoma de Barcelona
  • Allegro Microsystems Argentina

Recordamos que los cupos son limitados y es necesario inscribirse mediante EVENTBRITE.

El evento incluye coffee break a lo largo de la jornada

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